Yeni bir 2D transistör atılımı, daha ince işlemciler yapabilir

Bilgisayarlar ve akıllı telefonlar gibi elektronik cihazlar gittikçe inceliyor ve küçülüyor. Gelecekte daha ince ve daha küçük cihazların karşılaştığı zorluklardan biri, dahili bileşenlerin ve donanımın boyutunu küçültmektir ve MIT, daha küçük mikroçip bileşenleri için 2D transistörleri etkinleştirebilecek yeni bir ilerlemeyi duyurdu. Projedeki araştırmacılar, bu atılımın mikroçip pazarındaki ilerlemeye devam etmeye yardımcı olabileceğine ve Moore Yasasının devam etmesine izin verebileceğine inanıyor.

Moore Yasası, bir mikroçipe yerleştirilen transistörlerin sayısının her iki yılda bir ikiye katlanabileceğini öngörüyor, ancak fiziksel sınırlar bu ilerlemeyi yavaşlatmaya başlıyor. MIT araştırmacıları , transistörler yapmak için silikon yerine atomik olarak ince malzemelerin kullanımını araştırıyorlar . 2D malzemeleri kullanmanın en büyük zorluklarından biri, onları geleneksel elektronik bileşenlere bağlamanın zor olmasıdır.

MIT, Berkeley’deki California Üniversitesi ve Taiwan Semiconductor Manufacturing Company’deki araştırmacılar, diğerleriyle birlikte bu gerekli elektrik bağlantılarını yapmanın bir yolunu buldular. Atılım, 2D malzemelerin potansiyelini pazara sunmaya ve bileşenlerin minyatürleştirilmesini iyileştirmeye yardımcı olabilir ve böylece Moore Yasasını yakın gelecekte genişletebilir.

Araştırmacılar, yarı iletken cihazların minyatürleştirilmesindeki en büyük sorunlardan birini, bir metal elektrot ile tek katmanlı bir yarı iletken malzeme arasındaki temas direncini çözdüler. Bir araştırmacı, sorunun çözümünün nispeten basit olduğunu ve tek tabakalı malzeme ile bağlanmak için sıradan metallerin yerini almak için bizmut adı verilen bir yarı metal elementi gerektirdiğini söyledi.

Molibden disülfür gibi ultra ince tek tabakalı malzemeler, silikon bazlı transistör teknolojisinin karşılaştığı minyatürleştirme sınırlarını aşmak için bir olasılık olarak görülmüştür. Malzemeler ve metal iletkenler arasında bunları bağlamak için oldukça iletken bir arayüz oluşturmak zorlu bir işti. Transistör minyatürleştirmenin hızlı temposu 2000 yılı civarında durdu, ancak yeni bir gelişme 2007’de bu barikatı kırdı. Bununla birlikte, araştırmacılar başka bir darboğazın eşiğinde olduğumuza inanıyor, ancak bu yeni atılım, ilerlemeye yardımcı olabilir.